شبیه سازی رفتار ترانزیستور fet فراپیوندی از جنس algan/gan

پایان نامه
چکیده

ترانزیستورهای اثر میدانی فراپیوندی مبتنی بر gan جایگاه ویژه ای در کاربردهای مایکروویو توان بالا دارند. در همین راستا، مدل سازی و افزایش جریان خروجی و توان خروجی در فرکانس های مایکروویو اهمیت بسیاری دارد. در اغلب موارد اثر الکترون انتقالی در مدل سازی مشخصه ی جریان- ولتاژ hfetهای مبتنی بر نیمه هادی های iii-nitride نادیده گرفته می شود. در gan بالازدگی سرعت رانش الکترون و گاف انرژی، در مقایسه با سایر نیمه هادی ها مانند gaas و inp، بیش تر است. به همین دلیل در این گونه ترانزیستورها ضرورت اعمال این اثر در شبیه سازی رفتار جریان- ولتاژ بیش تر می باشد. در این پژوهش، مدلی برای سرعت الکترون با در نظر گرفتن تحرک منفی و بالازدگی سرعت حامل ها ارائه شده است و در مدل سازی دقیق مشخصه ی جریان- ولتاژ این ترانزیستورها و اعمال اثر الکترون انتقالی از این مدل سرعت رانش الکترون ها استفاده شده است. معادله ی پواسون و پارامترهای جریان نفوذی هسته ی اصلی حل عددی مشخصه می باشد. برای سنجش مدل ارائه شده، نتایج شبیه سازی با نتایج به دست آمده با مدل ridely که توصیف ساده ای از سرعت رانش الکترون ارائه می دهد، مقایسه شده است.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

شبیه سازی شکل دهی انفجاری ورق از جنس آلیاژ آلومینیوم

در سالهای اخیر ورق‌های آلیاژ آلومینیوم در صنعت خودروسازی کاربرد وی‍ژه‌ای پیدا کرده‌اند. شکل‌دهی این مواد با روش‌های استاتیکی مانند هیدروفرمینگ و پرس بسیار مشکل است چرا که این ورق‌ها محدوده پلاستیک پیش از پارگی کمتری نسبت به ورق‌های فولادی معمول دارند. در این پژوهش شکل‌دهی آزاد آلیاژ آلومینیوم به عنوان مطالعه پایه‌ای بررسی شده است که با استفاده از موج شوک حاصل از انفجار در زیر آب و ماده منفجره S...

متن کامل

شبیه سازی شکل دهی انفجاری ورق از جنس آلیاژ آلومینیوم

در سالهای اخیر ورق‌های آلیاژ آلومینیوم در صنعت خودروسازی کاربرد وی‍ژه‌ای پیدا کرده‌اند. شکل‌دهی این مواد با روش‌های استاتیکی مانند هیدروفرمینگ و پرس بسیار مشکل است چرا که این ورق‌ها محدوده پلاستیک پیش از پارگی کمتری نسبت به ورق‌های فولادی معمول دارند. در این پژوهش شکل‌دهی آزاد آلیاژ آلومینیوم به عنوان مطالعه پایه‌ای بررسی شده است که با استفاده از موج شوک حاصل از انفجار در زیر آب و ماده منفجره S...

متن کامل

طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه‏ ای برای بهبود اثرات خود گرمائی

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لای...

متن کامل

شبیه سازی رفتار انتقال حرارتی در مبدل حرارتیU-Tube

انتقال حرارت یکی از مهمترین و اساسیترین پدیدههای طبیعی میباشد. مبدل‌های حرارتی تقریباً پرکاربردترین عضو در فرآیندهای شیمیایی‌اند و می‌توان آن‌ها را در بیشتر واحدهای صنعتی ملاحظه کرد. آنها وسایلی هستند که امکان انتقال انرژی گرمایی بین دو یا چند سیال در دماهای مختلف را فراهم می‌کنند. این عملیات می‌تواند بین مایع- مایع، گاز- گاز و یا گاز- مایع انجام شود. مبدل‌های حرارتی به منظور خنک کردن سیال گرم و...

متن کامل

شبیه سازی رفتار حالت پایدار ژنراتور القایی تکفاز خودتحریک

در این مقاله عملکرد پایدار ماشین القایی تکفاز قفس سنجابی بعنوان یک ژنراتور خودتحریک مورد بررسی قرار گرفته است. از بانک خازنی بعنوان تامین کننده توان راکتیو مورد لزوم استفاده شود, تا آن را تحریک کرده و ولتاژ مطلوب را در ترمینالهای ژنراتور برای بارهای مختلف تثبیت کند. یک روش تحلیلی که از مدار معادل تکفاز و تکنیک عددی نیوتن – رافسن استفاده می کند جهت محاسبه ظرفیت و فرکانس تولیدی برای یک ولتاژ ثاب...

متن کامل

کاهش جریان نشتی از گیت دی الکتریک نانو ترانزیستور cnt-fet

لایه ی میانی بین گیت دی الکتریک اکسیدی و سیلیکون بسیار مهم است زیرا عملکرد ترانزیستورها و قابلیت اعتبار افزاره ها به وسیله ی گیت و گیت دی الکتریک اکسیدی ترانزیستور تعیین و کنترل می شود. علاوه بر این وقتی که اکسید برای سازگاری با سرعت های بالاتر در مدارهای مجتمع نازک و نازک تر می شود نقش لایه ی میانی مهم تر می شود. در این پایان نامه سعی کردیم ساختار فصل مشترک si(111)/sio2 را به وسیله ی تکنیک xps...

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده مهندسی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023